Datasheet SIHB30N60E-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 29 А, D2PAK — Даташит

Купить SIHB30N60E-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 74 до 900 ₽ 22 предложений от 10 поставщиков Высоковольтное MOS, VISHAY SIHB30N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 29A, 600V, 0.104Ω, 10V, 2V
ChipWorker Весь мир	SIHB30N60E-GE3 Vishay	232 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SIHB30N60E-GE3 Vishay	318 ₽	Купить
Maybo Весь мир	SIHB30N60E-GE3 Vishay	475 ₽	Купить
Элитан Россия	SIHB30N60E-GE3 Vishay	532 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 29 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiHB30N60E
www.vishay.com
Vishay Siliconix
E Series Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 29 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 0.104 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 250 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

Варианты написания:

SIHB30N60EGE3, SIHB30N60E GE3