Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet SIHG30N60E-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 29 А, TO-247AC — Даташит

Vishay SIHG30N60E-E3

Наименование модели: SIHG30N60E-E3

11 предложений от 10 поставщиков
Труба MOS, VISHAY SIHG30N60E-E3 Power MOSFET, N Channel, 29A, 600V, 0.104Ω, 10V, 2V
ChipWorker
Весь мир
SIHG30N60E-E3
Vishay
263 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
SIHG30N60E-E3
по запросу
Lixinc Electronics
Весь мир
SIHG30N60E-E3
Vishay
по запросу
727GS
Весь мир
SIHG30N60E-E3
Vishay
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 29 А, TO-247AC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiHG30N60E
www.vishay.com
Vishay Siliconix
E Series Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 29 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.104 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 250 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-247AC
  • Количество выводов: 3
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

Варианты написания:

SIHG30N60EE3, SIHG30N60E E3

На английском языке: Datasheet SIHG30N60E-E3 - Vishay MOSFET, N CH, 600 V, 29 A, TO-247AC

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка