Shenler: реле, интерфейсные модули

Datasheet PHE13009 - NXP Даташит Транзистор, NPN, 12 А, 700 В, TO220AB — Даташит

NXP PHE13009

Наименование модели: PHE13009

45 предложений от 22 поставщиков
Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans GP BJT NPN 400V 12A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Эиком
Россия
PHE13009/DG,127
WeEn Semiconductors
от 53 ₽
Десси
Россия
Транзистор биполярный MJE13009 /ST13009, PHE13009,13009-2,D13009K//без диода/
90 ₽
LifeElectronics
Россия
PHE13009.127
NXP
по запросу
Augswan
Весь мир
PHE13009
WeEn Semiconductors
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, NPN, 12 А, 700 В, TO220AB

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PHE13009 Silicon Diffused Power Transistor
Product specification March 1999
NXP Semiconductors

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В
  • Рассеиваемая мощность: 80 Вт
  • DC Collector Current: 12 А
  • DC Current Gain: 40
  • Корпус транзистора: TO-220AB
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PHE13009 - NXP TRANSISTOR, NPN, 12 A, 700 V, TO220AB

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка