Платан - интернет магазин электронных компонентов

Datasheet PHE13009 - NXP Даташит Транзистор, NPN, 12 А, 700 В, TO220AB — Даташит

NXP PHE13009

Наименование модели: PHE13009

Масштаб. Поставляем промышленную память с гарантией 12 месяцев

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, NPN, 12 А, 700 В, TO220AB

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PHE13009 Silicon Diffused Power Transistor
Product specification March 1999
NXP Semiconductors

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В
  • Рассеиваемая мощность: 80 Вт
  • DC Collector Current: 12 А
  • DC Current Gain: 40
  • Корпус транзистора: TO-220AB
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PHE13009 - NXP TRANSISTOR, NPN, 12 A, 700 V, TO220AB

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

Политика конфиденциальности