Datasheet PHE13009 - NXP Даташит Транзистор, NPN, 12 А, 700 В, TO220AB — Даташит
Наименование модели: PHE13009
![]() 45 предложений от 22 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans GP BJT NPN 400V 12A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | |||
PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors | от 53 ₽ | ||
Транзистор биполярный MJE13009 /ST13009, PHE13009,13009-2,D13009K//без диода/ | 90 ₽ | ||
PHE13009.127 NXP | по запросу | ||
PHE13009 WeEn Semiconductors | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, NPN, 12 А, 700 В, TO220AB
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PHE13009 Silicon Diffused Power Transistor
Product specification March 1999
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В
- Рассеиваемая мощность: 80 Вт
- DC Collector Current: 12 А
- DC Current Gain: 40
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть