Datasheet PHE13009 - NXP Даташит Транзистор, NPN, 12 А, 700 В, TO220AB — Даташит
Наименование модели: PHE13009
Купить PHE13009 на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 90 ₽ 37 предложений от 22 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; 400В; 12А; 80Вт; TO220AB; макс.1,3мм | |||
PHE13009,127 WeEn Semiconductors | 19 ₽ | ||
PHE13009,127 WeEn Semiconductors | от 21 ₽ | ||
PHE13009 NXP | по запросу | ||
PHE13009,127(PHILIPPINE NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, NPN, 12 А, 700 В, TO220AB
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PHE13009 Silicon Diffused Power Transistor
Product specification March 1999
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В
- Рассеиваемая мощность: 80 Вт
- DC Collector Current: 12 А
- DC Current Gain: 40
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть