LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet PHE13009 - NXP Даташит Транзистор, NPN, 12 А, 700 В, TO220AB — Даташит

NXP PHE13009

Наименование модели: PHE13009

37 предложений от 22 поставщиков
Транзистор: NPN; биполярный; 400В; 12А; 80Вт; TO220AB; макс.1,3мм
PHE13009,127
WeEn Semiconductors
19 ₽
Akcel
Весь мир
PHE13009,127
WeEn Semiconductors
от 21 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
PHE13009
NXP
по запросу
ТаймЧипс
Россия
PHE13009,127(PHILIPPINE
NXP
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, NPN, 12 А, 700 В, TO220AB

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PHE13009 Silicon Diffused Power Transistor
Product specification March 1999
NXP Semiconductors

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В
  • Рассеиваемая мощность: 80 Вт
  • DC Collector Current: 12 А
  • DC Current Gain: 40
  • Корпус транзистора: TO-220AB
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PHE13009 - NXP TRANSISTOR, NPN, 12 A, 700 V, TO220AB

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России