Datasheet 2SK3666-3-TB-E - Sanyo Даташит JFET, N CH, 30 В, 0.01 А, SOT23 — Даташит

Купить 2SK3666-3-TB-E на РадиоЛоцман.Цены — от 3.99 до 483 ₽ 18 предложений от 12 поставщиков ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -30 В, 1.2 мА, 3 мА, -2.2 В, SOT-23, JFET
AiPCBA Весь мир	2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor	3.99 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor	4.08 ₽	Купить
ЭИК Россия	2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor	15 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	2SK36663TBE	483 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Sanyo

Описание: JFET, N CH, 30 В, 0.01 А, SOT23

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Тип транзистора: JFET
• Breakdown Voltage Vbr: 30 В
• Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 600 мкА ...

  6 мА

• Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 2.2 В
• Рассеиваемая мощность: 200 мВт
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• Current Idss Max: 6 мА
• Current Idss Min: 600 мкА
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• Тип корпуса: CP
• Способ монтажа: SMD
• Полярность транзистора: N Channel

RoHS: есть

Варианты написания:

2SK36663TBE, 2SK3666 3 TB E