Datasheet 2SK3666-3-TB-E - Sanyo Даташит JFET, N CH, 30 В, 0.01 А, SOT23 — Даташит

Купить 2SK3666-3-TB-E на РадиоЛоцман.Цены — от 3.43 до 63 ₽ 13 предложений от 10 поставщиков ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -30 В, 1.2 мА, 3 мА, -2.2 В, SOT-23, JFET
Компонентс Ру Россия	2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor	от 16 ₽	Купить
Эиком Россия	2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor	от 18 ₽	Купить
Maybo Весь мир	2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor	63 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Sanyo

Описание: JFET, N CH, 30 В, 0.01 А, SOT23

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Тип транзистора: JFET
• Breakdown Voltage Vbr: 30 В
• Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 600 мкА ...

  6 мА

• Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 2.2 В
• Рассеиваемая мощность: 200 мВт
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• Current Idss Max: 6 мА
• Current Idss Min: 600 мкА
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• Тип корпуса: CP
• Способ монтажа: SMD
• Полярность транзистора: N Channel

RoHS: есть

Варианты написания:

2SK36663TBE, 2SK3666 3 TB E