Datasheet BF511,215 - NXP Даташит JET, N CH, 20 В, SOT-23 — Даташит

NXP BF511,215

Наименование модели: BF511,215

Купить BF511,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 8.65 до 69 ₽ 21 предложений от 15 поставщиков Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20 В, 0,25Вт
Стандарт СИЗ Россия	BF511.215 NXP	8.65 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	BF511.215 NXP	16 ₽
ICdarom.ru Россия	BF511,215 NXP	от 43 ₽
ЭлектроПласт Россия	BF511215 NXP	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: JET, N CH, 20 В, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BF510 to 513 N-channel silicon field-effect transistors
Product specification December 1997
NXP Semiconductors

Спецификации:

Тип транзистора: JFET
Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 3 мА
Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 1.5 В
Рассеиваемая мощность: 250 мВт
Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SOT-23
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Current Idss Max: 7 мА
Current Idss Min: 2.5 мА
Тип корпуса: SOT-23
Способ монтажа: SMD
Полярность транзистора: N Channel

RoHS: есть

Варианты написания:

BF511215, BF511 215