Datasheet BF545B - NXP Даташит Транзистор, JFET, N, ВЧ, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: BF545B
![]() 22 предложений от 18 поставщиков Transistor, JFET, N, RF, SOT-23; Breakdown Voltage Vbr: 30V; Zero Gate Drain Current Idss Min: 6mA; | |||
BF545B,215 NXP | от 120 ₽ | ||
BF545B215 NXP | по запросу | ||
BF545B,215 NXP | по запросу | ||
BF545B NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, JFET, N, ВЧ, SOT-23
Краткое содержание документа:
SO T2
BF545A; BF545B; BF545C
N-channel silicon junction field-effect transistors
Rev.
4 -- 15 September 2011 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Тип транзистора: JFET
- Breakdown Voltage Vbr: 30 В
- Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 6 мА ... 15 мА
- Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 7.5 В
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Idss Max: 15 мА
- Current Idss Min: 6 мА
- Current Ig: 10 мА
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Тип корпуса: SOT-23
- Pin Configuration: S(1), D(2), G(3)
- Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт
- Способ монтажа: SMD
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vgs Off Min: -0.4 В
RoHS: есть