Datasheet J305-E3 - Vishay Даташит Транзистор, JFET, N, 30 В, 8 мА — Даташит
Наименование модели: J305-E3
JFET 30V 1mA | |||
J305-E3 | по запросу | ||
J305-E3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Транзистор, JFET, N, 30 В, 8 мА
Краткое содержание документа:
J304/305
Vishay Siliconix
N-Channel JFETs
PRODUCT SUMMARY
Part Number
Спецификации:
- Тип транзистора: JFET
- Breakdown Voltage Vbr: 30 В
- Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 1 мА ...
8 мА
- Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 3 В
- Рассеиваемая мощность: 350 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: TO-226AA
- Количество выводов: 3
- Current Idss Max: 8 мА
- Current Idss Min: 1 мА
- Тип корпуса: TO-226AA
- Способ монтажа: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
RoHS: есть
Варианты написания:
J305E3, J305 E3