Datasheet MMBF4392LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, JFET, N, 30 В, SOT-23 — Даташит

Купить MMBF4392LT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 2.90 до 2 165 ₽ 52 предложений от 21 поставщиков Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
Компонентс Ру Россия	MMBF4392LT1G ON Semiconductor	от 15 ₽	Купить
Maybo Весь мир	MMBF4392LT1G ON Semiconductor	50 ₽	Купить
727GS Весь мир	MMBF4392LT1G ON Semiconductor	от 2 165 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	MMBF4392LT1G	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, JFET, N, 30 В, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MMBF4391LT1G, SMMBF4391LT1G, MMBF4392LT1G, MMBF4393LT1G JFET Switching Transistors
N-Channel
Features http://onsemi.com
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique
Site and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant*

Спецификации:

• Тип транзистора: JFET
• Breakdown Voltage Vbr: 30 В
• Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 25 мА ...

  75 мА

• Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 5 В
• Рассеиваемая мощность: 225 мВт
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Capacitance Ciss Max: 14 пФ
• Current Idss Max: 150 мА
• Current Idss Min: 50 мА
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance Max: 60 Ом
• Тип корпуса: SOT-23
• SMD Marking: 6K
• Способ монтажа: SMD
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vgs Off Min: -2 В

RoHS: есть