HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet MMBF4392LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, JFET, N, 30 В, SOT-23 — Даташит

ON Semiconductor MMBF4392LT1G

Наименование модели: MMBF4392LT1G

42 предложений от 16 поставщиков
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
MMBF4392LT1G
ON Semiconductor
2.57 ₽
Akcel
Весь мир
MMBF4392LT1G
ON Semiconductor
от 8.06 ₽
MMBF4392LT1G ONS SOT-23-3
ON Semiconductor
от 24 ₽
DIP8.RU
Россия и страны ТС
MMBF4392LT1G
ON Semiconductor
от 25 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, JFET, N, 30 В, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MMBF4391LT1G, SMMBF4391LT1G, MMBF4392LT1G, MMBF4393LT1G JFET Switching Transistors
N-Channel
Features http://onsemi.com
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique
Site and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant*

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: 30 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 25 мА ...

    75 мА

  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 5 В
  • Рассеиваемая мощность: 225 мВт
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Capacitance Ciss Max: 14 пФ
  • Current Idss Max: 150 мА
  • Current Idss Min: 50 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance Max: 60 Ом
  • Тип корпуса: SOT-23
  • SMD Marking: 6K
  • Способ монтажа: SMD
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Voltage Vgs Off Min: -2 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MMBF4392LT1G - ON Semiconductor TRANSISTOR, JFET, N, 30 V, SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России