Datasheet MMBFJ309LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, JFET, N, 25 В, SOT-23 — Даташит

Купить MMBFJ309LT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 0.82 до 15 816 ₽ 55 предложений от 22 поставщиков Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 0.225 Вт
Берёзка Электронные Компоненты Россия	MMBFJ309LT1G ON Semiconductor	от 11 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	MMBFJ309LT1G ON Semiconductor	13 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	MMBFJ309LT1G ON Semiconductor	от 26 ₽	Купить
Maybo Весь мир	MMBFJ309LT1G ON Semiconductor	29 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, JFET, N, 25 В, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MMBFJ309L, MMBFJ310L, SMMBFJ310L JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor
N-Channel
Features http://onsemi.com
2 SOURCE
· AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable · S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique ·

Спецификации:

• Тип транзистора: JFET
• Breakdown Voltage Vbr: 25 В
• Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 12 мА ...

  30 мА

• Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 4 В
• Рассеиваемая мощность: 225 мВт
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Capacitance Ciss Max: 5 пФ
• Current Idss Max: 30 мА
• Current Idss Min: 12 мА
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• Тип корпуса: SOT-23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 225 мВт
• SMD Marking: 6 x
• Способ монтажа: SMD
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vgs Off Min: -1 В

RoHS: есть