Электромагнитные зуммеры KEEN SIDE

Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, JFET, N, 25 В, SOT-23 — Даташит

ON Semiconductor MMBFJ310LT1G

Наименование модели: MMBFJ310LT1G

71 предложений от 24 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — радиочастотные
MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
от 22 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
MMBFJ310LT1G
40 ₽
Romstore
Россия, Беларусь
MMBFJ310LT1G
от 50 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
MMBFJ310LT1G
по запросу
Многослойные керамические конденсаторы от лидеров азиатского рынка

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, JFET, N, 25 В, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: 25 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 24 мА ...

    60 мА

  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 6.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 225 мВт
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Capacitance Ciss Max: 5 пФ
  • Current Idss Max: 60 мА
  • Current Idss Min: 24 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 25 В
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 225 мВт
  • SMD Marking: 6 x
  • Способ монтажа: SMD
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Voltage Vgs Off Min: -2 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor TRANSISTOR, JFET, N, 25 V, SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка