Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, JFET, N, 25 В, SOT-23 — Даташит

Наименование модели: MMBFJ310LT1G
71 предложений от 24 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — радиочастотные | |||
| MMBFJ310LT1G ON Semiconductor | от 22 ₽ | ||
| MMBFJ310LT1G | 40 ₽ | ||
| MMBFJ310LT1G | от 50 ₽ | ||
| MMBFJ310LT1G | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Транзистор, JFET, N, 25 В, SOT-23
Спецификации:
- Тип транзистора: JFET
- Breakdown Voltage Vbr: 25 В
- Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 24 мА ...
60 мА
- Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 6.5 В
- Рассеиваемая мощность: 225 мВт
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Capacitance Ciss Max: 5 пФ
- Current Idss Max: 60 мА
- Current Idss Min: 24 мА
- Drain Source Voltage Vds: 25 В
- Тип корпуса: SOT-23
- Рассеиваемая мощность максимальная: 225 мВт
- SMD Marking: 6 x
- Способ монтажа: SMD
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vgs Off Min: -2 В
RoHS: есть






