Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, JFET, N, 25 В, SOT-23 — Даташит

Купить MMBFJ310LT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 2.68 до 11 384 ₽ 51 предложений от 20 поставщиков Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 0.225 Вт
DIP8.RU Россия и страны ТС	MMBFJ310LT1G ON Semiconductor	от 21 ₽	Купить
Контест Россия	MMBFJ310LT1G ON Semiconductor	26 ₽	Купить
Триема Россия	MMBFJ310LT1G ON Semiconductor	27 ₽	Купить
Augswan Весь мир	MMBFJ310LT1G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, JFET, N, 25 В, SOT-23

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Тип транзистора: JFET
• Breakdown Voltage Vbr: 25 В
• Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 24 мА ...

  60 мА

• Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 6.5 В
• Рассеиваемая мощность: 225 мВт
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Capacitance Ciss Max: 5 пФ
• Current Idss Max: 60 мА
• Current Idss Min: 24 мА
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• Тип корпуса: SOT-23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 225 мВт
• SMD Marking: 6 x
• Способ монтажа: SMD
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vgs Off Min: -2 В

RoHS: есть