Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, JFET, N, 25 В, SOT-23 — Даташит

ON Semiconductor MMBFJ310LT1G

Наименование модели: MMBFJ310LT1G

39 предложений от 15 поставщиков
транзистор RF N-ch 25В 10мА, мар-ка M10, 6T, = PMBFJ310 MMBFJ310
MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
7.51 ₽
Akcel
Весь мир
MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
от 8.86 ₽
AiPCBA
Весь мир
MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
17 ₽
ЭИК
Россия
MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
от 31 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, JFET, N, 25 В, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: 25 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 24 мА ...

    60 мА

  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 6.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 225 мВт
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Capacitance Ciss Max: 5 пФ
  • Current Idss Max: 60 мА
  • Current Idss Min: 24 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 25 В
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 225 мВт
  • SMD Marking: 6 x
  • Способ монтажа: SMD
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Voltage Vgs Off Min: -2 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor TRANSISTOR, JFET, N, 25 V, SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России