Datasheet PMBFJ112 - NXP Даташит Транзистор, JFET, N, ВЧ, SOT-23 — Даташит

Купить PMBFJ112 на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 1 607 ₽ 14 предложений от 14 поставщиков РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом TAPE7 FET-RFSS
Lixinc Electronics Весь мир	PMBFJ112,215 NXP	15 ₽	Купить
ЧипСити Россия	PMBFJ112 NXP	27 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	PMBFJ112.215	1 607 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	PMBFJ112,215 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, JFET, N, ВЧ, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMBFJ111; PMBFJ112; PMBFJ113
N-channel junction FETs
Rev.

4 -- 20 September 2011 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Тип транзистора: JFET
• Breakdown Voltage Vbr: 40 В
• Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 5 мА
• Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 3 В
• Рассеиваемая мощность: 300 мВт
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Idss Min: 5 мА
• Current Ig: 50 мА
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• Температура перехода максимальная: 150°C
• On State Resistance Max: 50 Ом
• Тип корпуса: SOT-23
• Pin Configuration: D(1), S(2), G(3)
• Рассеиваемая мощность максимальная: 300 мВт
• Способ монтажа: SMD
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vgs Off Min: -10 В

RoHS: есть