Datasheet PMBFJ112 - NXP Даташит Транзистор, JFET, N, ВЧ, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: PMBFJ112
Купить PMBFJ112 на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 1 795 ₽ 18 предложений от 12 поставщиков TRANSISTOR 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal | |||
| PMBFJ112 NXP | от 15 ₽ | ||
| PMBFJ112 NXP | от 16 ₽ | ||
| PMBFJ112 NXP | 30 ₽ | ||
| PMBFJ112.215 | 1 795 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, JFET, N, ВЧ, SOT-23
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PMBFJ111; PMBFJ112; PMBFJ113
N-channel junction FETs
Rev.
4 -- 20 September 2011 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Тип транзистора: JFET
- Breakdown Voltage Vbr: 40 В
- Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 5 мА
- Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 3 В
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Idss Min: 5 мА
- Current Ig: 50 мА
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- Температура перехода максимальная: 150°C
- On State Resistance Max: 50 Ом
- Тип корпуса: SOT-23
- Pin Configuration: D(1), S(2), G(3)
- Рассеиваемая мощность максимальная: 300 мВт
- Способ монтажа: SMD
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vgs Off Min: -10 В
RoHS: есть
