Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet PMBFJ174,215 - NXP Даташит JET, P CH, 30 В, SOT-23 — Даташит

NXP PMBFJ174,215

Наименование модели: PMBFJ174,215

14 предложений от 13 поставщиков
Транзистор JFET, JFET Transistor, JFET, 30V, 20mA, 135mA, 10V, SOT-23, JFET
ChipWorker
Весь мир
PMBFJ174,215
NXP
10 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
PMBFJ174,215
NXP
по запросу
Augswan
Весь мир
PMBFJ174,215
NXP
по запросу
LifeElectronics
Россия
PMBFJ174,215
NXP
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: JET, P CH, 30 В, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PMBFJ174 to 177 P-channel silicon field-effect transistors
Product specification April 1995
NXP Semiconductors

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: 30 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 20 мА ...

    135 мА

  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 300 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Idss Max: 135 мА
  • Current Idss Min: 20 мА
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Полярность транзистора: P Channel

RoHS: есть

Варианты написания:

PMBFJ174215, PMBFJ174 215

На английском языке: Datasheet PMBFJ174,215 - NXP JET, P CH, 30 V, SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка