Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet PMBFJ174,215 - NXP Даташит JET, P CH, 30 В, SOT-23 — Даташит

NXP PMBFJ174,215

Наименование модели: PMBFJ174,215

16 предложений от 10 поставщиков
NXP PMBFJ174,215 P-channel JFET Transistor, 30 V, Idss 20135mA, 3-Pin SOT-23
PMBFJ174.215
NXP
8.75 ₽
AiPCBA
Весь мир
PMBFJ174,215
NXP
27 ₽
Utmel
Весь мир
PMBFJ174,215
NXP
от 54 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PMBFJ174.215
NXP
1 286 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: JET, P CH, 30 В, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PMBFJ174 to 177 P-channel silicon field-effect transistors
Product specification April 1995
NXP Semiconductors

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: 30 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 20 мА ...

    135 мА

  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 300 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Idss Max: 135 мА
  • Current Idss Min: 20 мА
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Полярность транзистора: P Channel

RoHS: есть

Варианты написания:

PMBFJ174215, PMBFJ174 215

На английском языке: Datasheet PMBFJ174,215 - NXP JET, P CH, 30 V, SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России