Datasheet PMBFJ175,215 - NXP Даташит JFET, P CH, 30 В, 0.03 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: PMBFJ175,215
![]() 15 предложений от 14 поставщиков Транзистор JFET, JFET Transistor, JFET, 30V, 7mA, 70mA, 6V, SOT-23, JFET | |||
PMBFJ175,215 NXP | 11 ₽ | ||
PMBFJ175.215 NXP | 19 ₽ | ||
PMBFJ175,215 NXP | от 72 ₽ | ||
PMBFJ175215 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: JFET, P CH, 30 В, 0.03 А, SOT23
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PMBFJ174 to 177 P-channel silicon field-effect transistors
Product specification April 1995
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Тип транзистора: JFET
- Breakdown Voltage Vbr: 30 В
- Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 7 мА ...
70 мА
- Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 6 В
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Continuous Drain Current Id: 70 мА
- On Resistance Rds(on): 125 Ом
- Тип корпуса: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
- Полярность транзистора: P Channel
- Voltage Vds Typ: 30 В
RoHS: есть
Варианты написания:
PMBFJ175215, PMBFJ175 215