Datasheet PMBFJ176,215 - NXP Даташит JET, P CH, 30 В, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: PMBFJ176,215
![]() 11 предложений от 11 поставщиков NXP PMBFJ176,215 JFET Transistor, JFET, 30V, 2mA, 35mA, 4V, SOT-23, JFET | |||
PMBFJ176,215 NXP | 11 ₽ | ||
PMBFJ176,215 Rochester Electronics | по запросу | ||
PMBFJ176,215 NXP | по запросу | ||
PMBFJ176,215 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: JET, P CH, 30 В, SOT-23
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PMBFJ174 to 177 P-channel silicon field-effect transistors
Product specification April 1995
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Тип транзистора: JFET
- Breakdown Voltage Vbr: 30 В
- Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 2 мА ...
35 мА
- Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 4 В
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Idss Max: 35 мА
- Current Idss Min: 2 мА
- Тип корпуса: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
- Полярность транзистора: P Channel
RoHS: есть
Варианты написания:
PMBFJ176215, PMBFJ176 215