Datasheet PMBFJ310 - NXP Даташит Транзистор, JFET, N, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: PMBFJ310
![]() 23 предложений от 19 поставщиков Transistor, JFET, N, SOT-23; Breakdown Voltage Vbr: -25V; Zero Gate Drain Current Idss Min: 24mA; | |||
PMBFJ310 NXP | 13 ₽ | ||
PMBFJ310T/R NXP | по запросу | ||
PMBFJ310@215 NXP | по запросу | ||
PMBFJ310,215 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, JFET, N, SOT-23
Краткое содержание документа:
PMBFJ308; PMBFJ309; PMBFJ310
N-channel silicon field-effect transistors
Rev.
4 -- 20 September 2011 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Тип транзистора: JFET
- Breakdown Voltage Vbr: -25 В
- Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 24 мА ... 60 мА
- Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -6.5 В
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Idss Max: 60 мА
- Current Idss Min: 12 мА
- Current Ig: 50 мА
- Drain Source Voltage Vds: 25 В
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-23
- Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт
- Способ монтажа: SMD
- Полярность транзистора: N Channel
RoHS: есть