HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet PMBFJ310 - NXP Даташит Транзистор, JFET, N, SOT-23 — Даташит

NXP PMBFJ310

Наименование модели: PMBFJ310

31 предложений от 19 поставщиков
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 25 В, 250 мВт
PMBFJ310,215
NXP
4.30 ₽
Триема
Россия
PMBFJ310
7.00 ₽
ChipWorker
Весь мир
PMBFJ310,215
NXP
18 ₽
TradeElectronics
Россия
PMBFJ310@215
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, JFET, N, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMBFJ308; PMBFJ309; PMBFJ310
N-channel silicon field-effect transistors
Rev.

4 -- 20 September 2011 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: -25 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 24 мА ... 60 мА
  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -6.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Idss Max: 60 мА
  • Current Idss Min: 12 мА
  • Current Ig: 50 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 25 В
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт
  • Способ монтажа: SMD
  • Полярность транзистора: N Channel

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMBFJ310 - NXP TRANSISTOR, JFET, N, SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России