Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet PMBFJ620,115 - NXP Даташит JET, N CH, сдвоенный, 25 В, SOT363 — Даташит

NXP PMBFJ620,115

Наименование модели: PMBFJ620,115

15 предложений от 9 поставщиков
NXP PMBFJ620,115 JFET Transistor, -25 V, 24 mA, 60 mA, -6.5 V, SOT-363, JFET
AiPCBA
Весь мир
PMBFJ620,115
NXP
39 ₽
ChipWorker
Весь мир
PMBFJ620,115
NXP
39 ₽
Akcel
Весь мир
PMBFJ620,115
NXP
от 984 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PMBFJ620.115
2 592 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: JET, N CH, сдвоенный, 25 В, SOT363

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: -25 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 24 мА ...

    60 мА

  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -6.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 190 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Current Idss Max: 60 мА
  • Current Idss Min: 24 мА
  • Тип корпуса: SOT-363
  • Способ монтажа: SMD
  • Полярность транзистора: N Channel

RoHS: есть

Варианты написания:

PMBFJ620115, PMBFJ620 115

На английском языке: Datasheet PMBFJ620,115 - NXP JET, N CH, DUAL, 25 V, SOT363

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России