Datasheet PMBFJ620,115 - NXP Даташит JET, N CH, сдвоенный, 25 В, SOT363 — Даташит

NXP PMBFJ620,115

Наименование модели: PMBFJ620,115

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: JET, N CH, сдвоенный, 25 В, SOT363

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: -25 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 24 мА ...

    60 мА

  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -6.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 190 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Current Idss Max: 60 мА
  • Current Idss Min: 24 мА
  • Тип корпуса: SOT-363
  • Способ монтажа: SMD
  • Полярность транзистора: N Channel

RoHS: есть

Варианты написания:

PMBFJ620115, PMBFJ620 115

На английском языке: Datasheet PMBFJ620,115 - NXP JET, N CH, DUAL, 25 V, SOT363

Изготовление плат и монтаж компонентов для вашего проекта от $2. Получи купон на скидку: JLCNY

PMBFJ620,115 Купить ЦенаКупить PMBFJ620,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 24,60 до 2 103
9 предложений от 9 поставщиков
JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP
Элитан
Россия
PMBFJ620.115
Rochester Electronics
25 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PMBFJ620.115
2 103 ₽
СПИ-Групп
Россия
PMBFJ620,115
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
PMBFJ620115
NXP
по запросу