Datasheet SJDP120R085 - SemiSouth Даташит JFET, SIC, N-ON, 1200 В, 27 А, TO247 — Даташит

Подробное описание

Производитель: SemiSouth

Описание: JFET, SIC, N-ON, 1200 В, 27 А, TO247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Silicon Carbide
PRELIMINARY
SJDP120R085
Product Summary
BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.085 290 V µJ

Спецификации:

• Тип транзистора: JFET
• Breakdown Voltage Vbr: 1200 В
• Рассеиваемая мощность: 114 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3

RoHS: есть