Datasheet SJEP170R550 - SemiSouth Даташит JFET, SIC, N-OFF, 1700 В, 4 А, TO247 — Даташит
Наименование модели: SJEP170R550
Подробное описание
Производитель: SemiSouth
Описание: JFET, SIC, N-OFF, 1700 В, 4 А, TO247
Краткое содержание документа:
Silicon Carbide
PRELIMINARY
SJEP170R550
Product Summary
BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1700 0.550 74 V µJ
Спецификации:
- Тип транзистора: JFET
- Breakdown Voltage Vbr: 1700 В
- Рассеиваемая мощность: 58 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
RoHS: есть