Datasheet SST174-E3 - Vishay Даташит Транзистор, JFET, сдвоенный, P — Даташит
Наименование модели: SST174-E3
![]() 8 предложений от 8 поставщиков Транзистор JFET, VISHAY SST174-E3 JFET Transistor, JFET, 30V, -20mA, -135mA, 10V, TO-236, JFET | |||
SST174-E3 Vishay | 30 ₽ | ||
SST174-E3 Vishay | 38 ₽ | ||
SST174-E3 Vishay | по запросу | ||
SST174-E3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Транзистор, JFET, сдвоенный, P
Краткое содержание документа:
J/SST174/175/176/177 Series
Vishay Siliconix
P-Channel JFETs
J174 J175 J176 J177 SST174 SST175 SST176 SST177
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Тип транзистора: JFET
- Breakdown Voltage Vbr: 30 В
- Zero Gate Voltage Drain Current Idss: -20 мА ...
-135 мА
- Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 350 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: TO-236
- Количество выводов: 3
- Current Idss Max: 135 мА
- Current Idss Min: 20 мА
- Тип корпуса: TO-236
- Способ монтажа: SMD
- Полярность транзистора: P Channel
RoHS: есть
Варианты написания:
SST174E3, SST174 E3