Datasheet NTE133 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL JFET, -25 В, TO-106 — Даташит

Купить NTE133 на РадиоЛоцман.Цены — от 103 до 47 387 ₽ 19 предложений от 12 поставщиков NTE ELECTRONICS NTE133 JFET Transistor, JFET, -25V, 500µA, 15mA, -6.5V, TO-106, JFET
ЧипСити Россия	NTE133 NTE Electronics	307 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE133 NTE Electronics	326 ₽	Купить
ЭИК Россия	NTE133	от 1 882 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	NTE133=ECG133 NTE Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: N CHANNEL JFET, -25 В, TO-106

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE133 N­Channel JFET Silicon Transistor General Purpose AF Amplifier
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Drain­Source Voltage, VDS .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Drain­Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Gate­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ­25V Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2mW/°C Operati

Спецификации:

• Тип транзистора: JFET
• Breakdown Voltage Vbr: -25 В
• Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -6.5 В
• Рассеиваемая мощность: 300 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Количество выводов: 3