Datasheet NTE133 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL JFET, -25 В, TO-106 — Даташит

NTE Electronics NTE133

Наименование модели: NTE133

Купить NTE133 на РадиоЛоцман.Цены — от 351 до 54 179 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков NTE ELECTRONICS NTE133 JFET Transistor, JFET, -25V, 500µA, 15mA, -6.5V, TO-106, JFET
ЧипСити Россия	NTE133 NTE Electronics	351 ₽
AiPCBA Весь мир	NTE133 NTE Electronics	373 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	NTE133	54 179 ₽
ЭлектроПласт Россия	NTE133=ECG133 NTE Electronics	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: N CHANNEL JFET, -25 В, TO-106

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE133 NChannel JFET Silicon Transistor General Purpose AF Amplifier
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) DrainSource Voltage, VDS .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V DrainGate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V GateSource Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2mW/°C Operati

Спецификации:

Тип транзистора: JFET
Breakdown Voltage Vbr: -25 В
Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -6.5 В
Рассеиваемая мощность: 300 мВт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
Количество выводов: 3