Datasheet NTE312 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL JFET, -30 В, TO-92 — Даташит
Наименование модели: NTE312
Купить NTE312 на РадиоЛоцман.Цены — от 140 до 17 669 ₽ 18 предложений от 9 поставщиков Транзистор: N-JFET; полевой; 30В; 15мА; 0,36Вт; TO92; Igt: 50мА | |||
NTE312 NTE Electronics | от 140 ₽ | ||
NTE312 NTE Electronics | 205 ₽ | ||
NTE312 NTE Electronics | от 312 ₽ | ||
NTE312 NTE Electronics | от 367 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: N CHANNEL JFET, -30 В, TO-92
Краткое содержание документа:
NTE312
NChannel Silicon Junction Field Effect Transistor
Description: The NTE312 is a field effect transistor designed for VHF amplifier and mixer applications.
The NTE312 comes in a TO92 package. Features: D High Power Gain: 10dB Min at 400MHz D High Transconductance: 4000 µmho Min at 400MHz D Low Crss: 1pF Max D High (Yfs) / Ciss Ratio (HighFrequency FigureofMerit) D Drain and Gate Leads Separated for High Maximum Stable Gain D CrossModulation Minimized by SquareLaw Transfer Characteristic D For Use in VHF Amplifiers in FM, TV, and Mobile Communications Equipment Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) DrainGate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V GateSource Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Тип транзистора: JFET
- Breakdown Voltage Vbr: -30 В
- Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -6 В
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- Количество выводов: 3
- Ток номинальный: 15 мА
- Gate-Source Breakdown Voltage: -50 В
RoHS: есть