Datasheet NTE466 - NTE Electronics Даташит JFET, N CH, -40 В, TO-18 — Даташит

Купить NTE466 на РадиоЛоцман.Цены — от 245 до 40 862 ₽ 15 предложений от 11 поставщиков NTE ELECTRONICS NTE466 JFET Transistor, Junction Field Effect, -40V, 50mA, -10V, TO-18, JFET
Зенер Россия и страны ТС	NTE466	245 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	NTE466	40 862 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTE466	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	NTE466 NTE Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: JFET, N CH, -40 В, TO-18

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE466 Silicon N­Channel JFET Transistor Chopper, High Speed Switch
Absolute Maximum Ratings: Drain­Source Voltage, VDS .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V Drain­Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V Reverse Gate­Source Voltage, VGSR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ­40V Forward Gate Current, IG(f) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360mW Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4mW/°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Тип транзистора: JFET
• Breakdown Voltage Vbr: -40 В
• Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 50 мА
• Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -10 В
• Рассеиваемая мощность: 360 мВт
• Количество выводов: 3
• Ток номинальный: 50 мА

RoHS: есть