Datasheet NTE456 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL JFET, -30 В, TO-72 — Даташит

Купить NTE456 на РадиоЛоцман.Цены — от 462 до 90 611 ₽ 19 предложений от 8 поставщиков N CHANNEL JFET, -30V, TO-72, Breakdown Voltage Vbr:-30V, Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-, Zero Gate Voltage Drain Current Idss...
ЧипСити Россия	NTE456 NTE Electronics	462 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE456 NTE Electronics	492 ₽	Купить
ЭИК Россия	NTE456	от 1 625 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	NTE-456	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: N CHANNEL JFET, -30 В, TO-72

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE456 N­Channel Silicon JFET General Purpose Amp, Switch
Description: The NTE456 is an N­Channel junction silicon field­effect transistor in a TO72 type package designed for general purpose amplifier and switching applications.

Absolute Maximum Ratings: Drain­Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Drain­Gate Voltge, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Gate­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ­30V Drain Current, ID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mA Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW Derate Above 25°C . . .

Спецификации:

• Тип транзистора: JFET
• Breakdown Voltage Vbr: -30 В
• Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 6 В
• Рассеиваемая мощность: 300 мВт
• Количество выводов: 3

RoHS: есть