Datasheet FCB11N60TM - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 11 А, TO-263 — Даташит
Наименование модели: FCB11N60TM
![]() 32 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; D2PAK | |||
FCB11N60TM ON Semiconductor | от 124 ₽ | ||
FCB11N60TM ON Semiconductor | от 294 ₽ | ||
FCB11N60TM ON Semiconductor | 312 ₽ | ||
FCB11N60TM ON Semiconductor | от 316 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 11 А, TO-263
Краткое содержание документа:
FCB11N60 600V N-Channel MOSFET
December 2008
FCB11N60
600V N-Channel MOSFET
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 11 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.32 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 125 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 3
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть