Datasheet FDB86135 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, TO-263 — Даташит
Наименование модели: FDB86135
![]() 24 предложений от 14 поставщиков N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, 100V, 176A, 3.5mO | |||
FDB86135 ON Semiconductor | 519 ₽ | ||
FDB86135 ON Semiconductor | от 567 ₽ | ||
FDB86135 ON Semiconductor | от 583 ₽ | ||
FDB86135 ON Semiconductor | 588 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, TO-263
Краткое содержание документа:
FDB86135 N-Channel PowerTrench® MOSFET
June 2011
FDB86135
N-Channel PowerTrench® MOSFET
100V, 176A, 3.5m Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.003 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 227 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 3
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть