Datasheet FDD86102LZ - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 35 А, TO-252 — Даташит

Купить FDD86102LZ на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 238 ₽ 60 предложений от 23 поставщиков MOSFET N-CH 100V 8A DPAK. N-Channel 100V 8A (Ta), 35A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252). Transistors -...
Microfind Россия	FDD86102LZ ON Semiconductor	25 ₽	Купить
Рутоника Россия и страны СНГ	FDD86102LZ ON Semiconductor	32 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	FDD86102LZ ON Semiconductor	от 181 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	FDD86102LZ ON Semiconductor	от 209 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 35 А, TO-252

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDD86102LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET
FDD86102LZ
N-Channel PowerTrench® MOSFET
100 V, 35 A, 22.5 m Features
Max rDS(on) = 22.5 m at VGS = 10 V, ID = 8 A Max rDS(on) = 31 m at VGS = 4.5 V, ID = 7 A HBM ESD protection level > 6 kV typical (Note 4) Very low Qg and Qgd compared to competing trench technologies Fast switching speed 100% UIL tested RoHS Compliant

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 42 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 0.0178 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Рассеиваемая мощность: 54 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-252
• Количество выводов: 3
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть