HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet FDME1023PZT - Fairchild Даташит Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 2.6 А, MFET1.6X1.6 — Даташит

Fairchild FDME1023PZT

Наименование модели: FDME1023PZT

27 предложений от 13 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2,6А; Idm: -6А; 1,4Вт
AiPCBA
Весь мир
FDME1023PZT
ON Semiconductor
35 ₽
ChipWorker
Весь мир
FDME1023PZT
ON Semiconductor
35 ₽
Utmel
Весь мир
FDME1023PZT
ON Semiconductor
от 67 ₽
FDME1023PZT
ON Semiconductor
от 86 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 2.6 А, MFET1.6X1.6

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDME1023PZT Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET
July 2010
FDME1023PZT
Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET
-20 V, -2.6 A, 142 m

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -2.6 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.095 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -600 мВ
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 6
  • Корпус транзистора: MicroFET1.6x1.6
  • Полярность транзистора: Dual P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 1.4 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet FDME1023PZT - Fairchild MOSFET, PP CH, 20 V, 2.6 A, MFET1.6X1.6

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России