Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet FDME510PZT - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P CH, 20 В, 6 А, MFET1.6X1.6 — Даташит

Fairchild FDME510PZT

Наименование модели: FDME510PZT

25 предложений от 11 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -15А; 2,1Вт; MicroFET
AiPCBA
Весь мир
FDME510PZT
ON Semiconductor
56 ₽
ChipWorker
Весь мир
FDME510PZT
ON Semiconductor
56 ₽
Utmel
Весь мир
FDME510PZT
ON Semiconductor
от 69 ₽
ЭИК
Россия
FDME510PZT
ON Semiconductor
от 70 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P CH, 20 В, 6 А, MFET1.6X1.6

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDME510PZT P-Channel PowerTrench®MOSFET
November 2011
FDME510PZT
P-Channel PowerTrench® MOSFET
-20 V, -6 A, 37 m

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -6 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.031 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -500 мВ
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 6
  • Корпус транзистора: MicroFET1.6x1.6
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 2.1 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet FDME510PZT - Fairchild MOSFET, P CH, 20 V, 6 A, MFET1.6X1.6

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России