Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet FDMS6673BZ - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 28 А, POWER56 — Даташит

Fairchild FDMS6673BZ

Наименование модели: FDMS6673BZ

26 предложений от 12 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -52А; Idm: -422А; 73Вт; Power56
AiPCBA
Весь мир
FDMS6673BZ
ON Semiconductor
67 ₽
ChipWorker
Весь мир
FDMS6673BZ
ON Semiconductor
68 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
FDMS6673BZ
ON Semiconductor
по запросу
Контест
Россия
FDMS6673BZ
Fairchild
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 28 А, POWER56

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDMS6673BZ P-Channel PowerTrench® MOSFET
August 2009
FDMS6673BZ
P-Channel PowerTrench® MOSFET
-30 V, -28 A, 6.8 m Features

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -28 А
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0052 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1.8 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: Power 56
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 73 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet FDMS6673BZ - Fairchild MOSFET, P CH, 30 V, 28 A, POWER56

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России