Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet BUK6C3R3-75C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 75 В, 181 А, D2PAK — Даташит

NXP BUK6C3R3-75C

Наименование модели: BUK6C3R3-75C

18 предложений от 12 поставщиков
Power Field-Effect Transistor
Akcel
Весь мир
BUK6C3R3-75C
Nexperia
от 72 ₽
Utmel
Весь мир
BUK6C3R3-75C
Nexperia
от 74 ₽
BUK6C3R3-75C,118
NXP
по запросу
Flash-Turtle
Весь мир
BUK6C3R3-75C,118
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 75 В, 181 А, D2PAK

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 181 А
  • Drain Source Voltage Vds: 75 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0034 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 7
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Рассеиваемая мощность: 300 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

Варианты написания:

BUK6C3R375C, BUK6C3R3 75C

На английском языке: Datasheet BUK6C3R3-75C - NXP MOSFET, N CH, 75 V, 181 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России