Datasheet BUK761R3-30E - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK761R3-30E на РадиоЛоцман.Цены — от 121 до 305 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
ChipWorker Весь мир	BUK761R3-30E NXP	171 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BUK761R3-30E,118 NXP	305 ₽	Купить
Maybo Весь мир	BUK761R3-30E,118 NXP	по запросу	Купить
IC Home Весь мир	BUK761R3-30E,118 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
BUK761R3-30E
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.

3 -- 16 May 2012 Product data sheet

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.00105 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 357 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

Варианты написания:

BUK761R330E, BUK761R3 30E