Datasheet BUK761R6-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 120 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK761R6-40E на РадиоЛоцман.Цены — от 47 до 156 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков TO-263-3, D虏Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
AllElco Electronics Весь мир	BUK761R6-40E,118 Nexperia	47 ₽	Купить
IC Home Весь мир	BUK761R6-40E,118 NXP	129 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BUK761R6-40E NXP	151 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	BUK761R6-40E118 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 120 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
BUK761R6-40E
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.

2 -- 16 May 2012 Product data sheet

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 0.0013 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 357 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

Варианты написания:

BUK761R640E, BUK761R6 40E