Datasheet BUK762R4-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 120 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK762R4-60E
![]() 15 предложений от 12 поставщиков MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | |||
BUK762R4-60E.118 Nexperia | 80 ₽ | ||
BUK762R4-60E,118 NXP | 98 ₽ | ||
BUK762R4-60E,118 NXP | 145 ₽ | ||
BUK762R4-60E118 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 120 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
D2
PA K
BUK762R4-60E
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.
2 -- 16 May 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 0.0019 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 357 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Варианты написания:
BUK762R460E, BUK762R4 60E