Datasheet BUK763R8-80E - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 В, 120 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK763R8-80E
![]() 39 предложений от 19 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 120 А, 0.0031 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
BUK763R8-80E,118 Nexperia | 196 ₽ | ||
BUK763R8-80E Nexperia | по запросу | ||
BUK763R8-80E NXP | по запросу | ||
BUK763R8-80E,118 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 В, 120 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
D2
PA K
BUK763R8-80E
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.
2 -- 16 May 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On Resistance Rds(on): 0.0031 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 357 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Варианты написания:
BUK763R880E, BUK763R8 80E