Datasheet BUK765R0-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK765R0-100E на РадиоЛоцман.Цены — от 82 до 1 621 ₽ 25 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 115А; 349Вт; D2PAK,SOT404
AiPCBA Весь мир	BUK765R0-100E,118 TE Connectivity	82 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	BUK765R0-100E.118 Nexperia	136 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	BUK765R0-100E,118 Nexperia	от 534 ₽	Купить
Элитан Россия	BUK765R0-100E NXP	1 621 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
BUK765R0-100E
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.

2 -- 16 May 2012 Product data sheet

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 0.0039 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 357 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

Варианты написания:

BUK765R0100E, BUK765R0 100E