Datasheet BUK961R4-30E - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK961R4-30E
Купить BUK961R4-30E на РадиоЛоцман.Цены — от 111 до 229 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK | |||
| BUK961R4-30E.118 NXP | 111 ₽ | ||
| BUK961R4-30E.118 NXP | 111 ₽ | ||
| BUK961R4-30E NXP | по запросу | ||
| BUK961R4-30E.118 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, D2PAK
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
D2
PA K
BUK961R4-30E
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.
2 -- 16 May 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.001 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 357 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Варианты написания:
BUK961R430E, BUK961R4 30E
