Datasheet BUK961R6-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 120 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK961R6-40E на РадиоЛоцман.Цены — от 73 до 407 ₽ 33 предложений от 17 поставщиков MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK / N-Channel 40 V 120A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D2PAK
AllElco Electronics Весь мир	BUK961R6-40E,118 Nexperia	от 73 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	BUK961R6-40E,118 Nexperia	от 407 ₽	Купить
Augswan Весь мир	BUK961R6-40E,118 Nexperia	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	BUK961R6-40E,118 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 120 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
BUK961R6-40E
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

2 -- 16 May 2012 Product data sheet

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 0.00117 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 357 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

Варианты написания:

BUK961R640E, BUK961R6 40E