Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet BUK962R5-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 120 А, D2PAK — Даташит

NXP BUK962R5-60E

Наименование модели: BUK962R5-60E

25 предложений от 11 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; Idm: 1008А; 349Вт
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK962R5-60E.118
Nexperia
136 ₽
ЧипСити
Россия
BUK962R5-60E
NXP
198 ₽
BUK962R5-60E,118
Nexperia
от 513 ₽
Akcel
Весь мир
BUK962R5-60E,118
Nexperia
от 1 067 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 120 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
BUK962R5-60E
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

2 -- 16 May 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0018 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 357 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

Варианты написания:

BUK962R560E, BUK962R5 60E

На английском языке: Datasheet BUK962R5-60E - NXP MOSFET, N CH, 60 V, 120 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России