Datasheet BUK964R2-80E - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 В, 120 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK964R2-80E
![]() 18 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 732А; 349Вт | |||
BUK964R2-80E.118 Nexperia | 126 ₽ | ||
BUK964R2-80E,118 NXP | 192 ₽ | ||
BUK964R2-80E NXP | 332 ₽ | ||
BUK964R2-80E118 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 В, 120 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
D2
PA K
BUK964R2-80E
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.
2 -- 16 May 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On Resistance Rds(on): 0.0032 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 357 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Варианты написания:
BUK964R280E, BUK964R2 80E