Datasheet BUK965R8-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, D2PAK — Даташит

Купить BUK965R8-100E на РадиоЛоцман.Цены — от 67 до 386 ₽ 38 предложений от 19 поставщиков Труба MOS, NXP BUK965R8-100E MOSFET Transistor, N Channel, 120A, 100V, 0.00445Ω, 10V, 1.7V
ЗУМ-СМД Россия	BUK965R8-100E.118 Nexperia	67 ₽	Купить
Промэлектроника Россия и страны СНГ	BUK965R8-100E,118 Nexperia	245 ₽	Купить
Augswan Весь мир	BUK965R8-100E,118 Nexperia	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	BUK965R8-100E118 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
BUK965R8-100E
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

2 -- 16 May 2012 Product data sheet

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 120 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 0.00445 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 357 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

Варианты написания:

BUK965R8100E, BUK965R8 100E