Datasheet BUK965R8-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK965R8-100E
Купить BUK965R8-100E на РадиоЛоцман.Цены — от 76 до 499 ₽ 35 предложений от 18 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 105А; Idm: 591А; 349Вт | |||
BUK965R8-100E.118 Nexperia | 76 ₽ | ||
BUK965R8-100E.118 Nexperia | от 88 ₽ | ||
BUK965R8-100E,118 Nexperia | от 277 ₽ | ||
BUK965R8-100E118 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
D2
PA K
BUK965R8-100E
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.
2 -- 16 May 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.00445 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 357 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Варианты написания:
BUK965R8100E, BUK965R8 100E