Datasheet NGB8207BNT4G - ON Semiconductor Даташит IGBT, IGNITION, N-CH, 365 В, 20 А, D2PAK — Даташит

Купить NGB8207BNT4G на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 234 ₽ 13 предложений от 13 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Reel
ЧипСити Россия	NGB8207BNT4G Littelfuse	90 ₽	Купить
Augswan Весь мир	NGB8207BNT4G ON Semiconductor	по запросу	Купить
727GS Весь мир	NGB8207BNT4G Littelfuse	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NGB8207BNT4G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, IGNITION, N-CH, 365 В, 20 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGB8207N, NGB8207BN Ignition IGBT
20 A, 365 V, N-Channel D2PAK
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications.

Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.
Features
http://onsemi.com

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 365 В
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
• DC Collector Current: 20 А
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 165 Вт
• Тип транзистора: IGBT
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)