Datasheet NGB8207BNT4G - ON Semiconductor Даташит IGBT, IGNITION, N-CH, 365 В, 20 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: NGB8207BNT4G
Купить NGB8207BNT4G на РадиоЛоцман.Цены — от 59 до 150 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков Ignition IGBT, N-Channel, 20 A, 365 V, D2PAK 2 LEAD, 800-REEL | |||
NGB8207BNT4G ON Semiconductor | от 59 ₽ | ||
NGB8207BNT4G ON Semiconductor | от 59 ₽ | ||
NGB8207BNT4G Littelfuse | 66 ₽ | ||
NGB8207BNT4G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: IGBT, IGNITION, N-CH, 365 В, 20 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
NGB8207N, NGB8207BN Ignition IGBT
20 A, 365 V, N-Channel D2PAK
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications.
Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.
Features
http://onsemi.com
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 365 В
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
- DC Collector Current: 20 А
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 165 Вт
- Тип транзистора: IGBT
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)